德国685nm红光二极管,无锡斯博睿 优质商家

发光二极管的较xin发现

发光二极管实现360度空间照射

 半导体照明正孕育着新一轮照明革命。在陈建伟简陋的“LD(发光二极管)光电实验室”可以看到，685nm红光二极管，一颗豆大的LD竟将实验室四周均匀地照亮。据称，这是世界上*yi颗360度(体发光)高1效能白光LD，它改变了白光LD单向发光特性。这是受昆虫复眼启发的一项发明。

发光二极管芯片的特点分析

一、TS芯片

 定义：transparentstructure(透明衬底)芯片、该芯片属于HP的**产品。

 特点：

 1：芯片工艺制作复杂、远**ASLD

 2：信赖性**

 3：透明的GaP衬底、不吸收光、亮度高

 4：应用广泛

二、AS芯片

 定义：Absorbablestructure(吸收衬底)芯片;

 经过近四十年的发展努力、闽台发光二级管光电业界对于该类型芯片的研发﹑生产﹑销售处于成熟的阶段、各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水准、差距不大。

 大陆芯片制造业起步较晚、其亮度及可靠度与闽台业界还有一定的差距、在这里我们所谈的AS芯片、特指UEC的AS芯片、eg:712SOL-VR，709SOL-VR，712SYM-VR，709SYM-VR等

 特点：

 1：四元芯片、采用MOVPE工艺制备、亮度相对于常规芯片要亮

 2：信赖性优良

 3：应用广泛

发光二极管电压范围

另外要知道你的二极管颜色，G B W WW 绿，蓝，白，暖白 R Y 红， 黄 .在正常工作情况下。常规的 G B W WW 为3.0-3.5V， R Y 为2.5-2.8V。 电流一般15毫安为宜(一般高亮LD采用的电阻是400-500欧姆，普通的采用1K左右的就行了，但不要**过2K。发光二极管的反向击穿电压约5伏。它的正向伏安特性曲线很陡，使用时必须串联限流电阻以控制通过管子的电流。限流电阻R可用下式计算：R＝（E－UF）／IF式中E为电源电压，UF为LD的正向压降，IF为LD的一般工作电流。发光二极管的两根引线中较长的一根为正极，应按电源正极。有的发光二极管的两根引线一样长，但管壳上有一凸起的小舌，靠近小舌的引线是正极。