激光二极管获得绿光输出
尽管利用非InGaN材料制造绿光激光二极管更加不切实际,但是多年来,650nm二极管,日本Sophia大学的研究人员一直在利用不同的II-VI族半导体化合物在InP衬底上制造激光二极管以及发光二极管(LD)。他们的zu1i新成果是在InP衬底上制造(MgSe)/(BeZnTe)**晶格包层以及BeZnSeTe有源层,从而制成光泵的激光二极管。该激光器能够输出548nm的真正绿光。
在激光器中,二极管,发生的辐射就是受激辐射,它发出的激光在频率、相位、偏振状态等方面完全一样。
任何的受激发光系统中即有受激辐射,也有受激吸收。只有受激辐射占优势,才能把外来光放大而发出激光。而一般光源中都是受激吸收占优势,808nm二极管,只有粒子的平衡态被打破,使高能态的粒子数大于低能态的粒子数(这样情况称为离子数反转),才能发出激光。
激光二极管原理——结构
激光二极管的物理结构是在发光二极管的结间安置一层具有光活性的半导体,其端面经过抛光后具有部分反射功能,因而形成一光谐振腔。
在正向偏置的情况下,LED结发射出光来并与光谐振腔相互作用,从而进一步激励从结上发射出单波长的光,这种光的物理性质与材料有关。
限幅用二极管
大多数二极管能作为限幅使用。也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的**限幅二极管。为了使这些二极管具有特别强的限制尖锐振幅的作用,通常使用硅材料制造的二极管。也有这样的组件出售:依据限制电压需要,把若干个必要的整流二极管串联起来形成一个整体。通常指的是环形调制**的二极管。就是正向特性一致性好的四个二极管的组合件。即使其它变容二极管也有调制用途,但它们通常是直接作为调频用。使用二极管混频方式时,在500~10,000Hz的频率范围内,多采用肖特基型和点接触型二极管。