赣榆二极管,无锡斯博睿科技,650nm二极管

发光二极管晶片的主要技术参数

发光二极管晶片的主要技术参数：

 A、发光二极管晶片的伏安特性1图：

B、顺向电压（VF）：施加在晶片两端，650nm二极管，使晶片正向导通的电压。此电压与晶片本身和测试电流存在相应的关系。VF过大，会使晶片被击穿

。 C、顺向电流（IF）：晶片在施加一定电压后，所产生的正向导通电流。IF的大小，与顺向电压的大小有关。晶片的工作电流在10-20mA左右。 

D、逆向电压（VR）：施加在晶片上的反向电压。 

E、逆向电流（IR）：是指晶片在施加反向电压后，所产生的一个漏电流。此电流越小越好。因为电流大了容易造成晶片被反向击穿。

 F、发光二极管亮度（IV）：指光源的明亮程度。单位换算：1cd=1000mcd G、发光二极管波长：反映晶片的发光颜色。不同波长的晶片其发光颜色也就不同。单位：nm H、光：是电磁波的一种。波长在0.1mm-10nm之电磁波称为光。 光可分为：发光二极管波长大于0.1mm称为电波；760nm-0.1nm叫红外光;380nm-760nm叫可见光; 10nm-380nm叫紫外光；波长小于10nm的是X线光。

LD发光二极管与荧光粉知识

LD发光二极管与荧光粉知识    ?LD发光二极管用LD芯片上涂敷荧光粉而实现白光发射。LD发光二极管使用荧光粉实现白光主要有三种办法，450nm二极管，但它们并没有完全成熟，由此严重地影响白光?LD发光二极管在照明领域的应用。具体来说，*yi种办法是在蓝色LD芯片 上涂敷能被蓝光激发的黄色荧光粉，芯片发出的蓝光与荧光粉发出的黄光互补形成白光。该技术被日本Nichia公司垄断，并且这种方案的一个原理性的缺点就 是该荧光体中Ce3+离子的发射光谱不具连续光谱特性，808nm二极管，显色性较差，难以满足低色温照明的要求，赣榆二极管，同时发光效率还不够高，需要通过开发新型的高1效荧光粉来改善。  

发光二极管的较xin发现

发光二极管实现360度空间照射

 半导体照明正孕育着新一轮照明革命。在陈建伟简陋的“LD(发光二极管)光电实验室”可以看到，一颗豆大的LD竟将实验室四周均匀地照亮。据称，这是世界上*yi颗360度(体发光)高1效能白光LD，它改变了白光LD单向发光特性。这是受昆虫复眼启发的一项发明。